铱锰靶材（IrMn）
产品简介（Introduction）
铱锰靶材（IrMn）是一种典型的反铁磁合金靶材，由铱（Ir）与锰（Mn）组成，在磁性薄膜、磁传感器、自旋电子学（Spintronics）及 MRAM 工艺中具有关键作用。IrMn 以其优异的交换偏置（Exchange Bias）性能、热稳定性和抗腐蚀能力，被广泛用于交换耦合结构、磁阻元件（GMR/TMR）、自旋阀、磁性存储器和高灵敏磁传感器中。
由于 Ir 的贵金属稳定性与 Mn 的反铁磁行为结合，IrMn 薄膜可提供高度可靠的磁性固定层（Pinned Layer），是现代磁电子器件的核心材料之一。
产品详情（Detailed Description）
材料特性
强交换偏置场（Hex）用于固定磁化方向，适合 GMR/TMR 结构。
优异热稳定性（高阻尼、高 Néel 温度）保证高温退火后的磁性一致性。
抗腐蚀、抗氧化、膜层致密溅射后薄膜稳定性强。
低颗粒率、薄膜均匀性好适合高要求磁性器件生产。
支持 DC/RF 磁控溅射可用于单层膜、叠层膜、多层结构膜。
常见成分（可定制）
Ir20Mn80（主流）
Ir25Mn75
Ir30Mn70可根据交换偏置场与温度稳定性需求调整比例。
可供规格
直径：25–300 mm
厚度：2–6 mm
纯度：99.9%–99.99%
表面粗糙度：Ra < 0.8 μm
背板结合：Cu / Ti / In bonding 支持
应用领域（Applications）
1. 磁阻器件（MRAM / GMR / TMR）
自旋阀（Spin Valve）结构
磁性固定层（Pinned Layer）
MTJ（磁隧穿结）结构
MRAM 读写单元
IrMn 是交换偏置材料的主流选择。
2. 磁传感器（Sensors）
电子罗盘
磁场检测器
交通运输磁传感模块
工业磁阻传感器
IrMn 使传感器具有高稳定性与低噪声。
3. 磁记录与硬盘技术
读写磁头薄膜
磁性堆叠结构（Spintronics）
高密度磁记录单元
磁域控制层
4. 功能性薄膜与科研应用
反铁磁材料研究
交换偏置机制研究
自旋输运与磁性耦合结构
高稳定磁性叠层膜
技术参数（Technical Parameters）
参数
范围 / 典型值
技术说明
纯度
99.9%–99.99%
保证磁性与薄膜稳定性
Ir/Mn 比例
可定制
决定交换偏置场与温度特性
致密度
≥97%
低颗粒、薄膜均匀
直径
25–300 mm
覆盖所有溅射腔体
厚度
2–6 mm
支持薄靶与厚靶
背板
Cu / Ti / In
增强散热和结构强度
相关材料对比（Comparison with Related Materials）
材料
特点
应用
IrMn
强交换偏置场、反铁磁结构
GMR、TMR、磁传感器
PtMn
高 Néel 温度、热稳定强
高温 MRAM 工艺
FeMn
成本低
普通磁性叠层结构
CoFeB
高磁化强度、自旋注入好
MTJ、磁记录
常见问题（FAQ）
1. IrMn 靶材可以用于 TMR 器件？可以，是磁性固定层的关键反铁磁材料。
2. Ir/Mn 比例能否根据交换偏置要求调整？可以，根据需求调节 Hex、阻尼与温度稳定性。
3. 是否可生产 8 英寸或更大尺寸靶材？完全支持，适用于大规模磁性薄膜生产线。
4. IrMn 会氧化吗？靶材已真空封装，薄膜本身稳定性好。
5. 可提供磁性测试数据吗？支持提供 Hex、矫顽力、磁导率、薄膜厚度均匀性等。
包装与交付（Packaging）
真空密封
防静电袋
防震泡棉
出口级保护包装
附唯一批次编号与检测标签
结论（Conclusion）
铱锰靶材（IrMn）是磁存储、传感器及自旋电子器件中不可替代的交换偏置材料，具有优异磁稳定性与可靠性。苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯、高致密、成分可定制的 IrMn 溅射靶材，适用于科研和大规模生产。